集成电路关键材料检测及装备自主可控工程-华普通用

需求与必要性

　　集成电路关键材料检测及装备是影响集成电路产业发展的决定性因素。我国集成电路关键材料自主可控能力差，对先进集成电路发展需求极为迫切。在国家集成电路产业投资基金和现实需求的推动下，以市场为导向，“政产学研用金服”结合，着力实施集成电路关键材料及装备自主可控工程迫在眉睫。

　　为此，需着重加强两方面建设：一是人才队伍建设，包括设置集成电路人才专项基金，加大核心技术人才的吸引力度;加强具有示范性微电子学院的高校支持，进行集成电路人才的可持续培养。二是稳定的资金供给。硅片制造属于重资产产业，产品验证周期长，周期性特点明显，约每 5 年一个周期，因此要对发展重点进行谨慎判断。

　　工程目标

　　通过本工程的实施，加强集成电路关键材料检测的产业化能力和可持续研发能力，扩大集成电路材料人才培养规模、丰富人才层次体系，主要的集成电路材料技术水平达到国际先进，产业水平基本满足产业链供应安全的需要，建立起全产业链供货能力，解除关键行业的“卡脖子”隐忧。

　　提升 12 in Si 单晶及其外延材料的技术水平，以满足并进入主流代工厂 14 nm 及以下工艺节点为目标，在确保集成电路产业链安全的前提下，逐步扩大国产材料的市场份额。

　　18 in Si 单晶及其外延材料研究，重点突破 18 in 单晶 Si 及其外延材料的制造技术，确保我国集成电路产业的可持续发展。

　　通过 TSV、TGV 等新型 3D 集成技术研究，完成后硅时代集成电路的技术路线筛选，在掌握其材料制备技术的同时，打通后硅时代集成电路的全产业链技术，确保 2035 年后，我国在后硅时代集成电路领域的产业技术水平和关键行业的供应链安全。

　　实现 12 in 及以下大尺寸 Si 单晶生长设备及大尺寸晶圆的加工设备自主可控;开发 18 in 单晶 Si 生长设备，为 18 in 单晶 Si 研制和产业化提供装备支持。

　　工程任务

　　在大硅片方面，结合大数据和云计算等技术发展需求背景，在国家集成电路专项科技计划资助的基础上，一方面，提升常规 12 in 高品质(满足 14 nm 工艺)硅片的制造能力，在 2025 年确保国内实现量产供应，同时打开国际市场，满足现阶段经济和社会发展需求;另一方面，进一步加强新技术的研发，建设 12 in SOI(绝缘衬底上的 Si)、射频微波用大尺寸高阻硅(HR-Si)衬底的生产能力;同时对 18 in Si 衬底进行技术储备，实现集成电路技术的可持续发展。

　　在集成电路关键材料检测方面，针对品种多、用量小、生产工艺稳定性差等问题，建立若干集成电路辅助材料工程中心，兼顾市场规律和产业供应链安全两方面因素，不断强化自主保障意识，优先实现量大面广的关键品种的全产业链自主保障，如 G 线、I 线、ArF 光刻胶及配套试剂、Cu 及其阻挡层抛光液、TSV 抛光液、Si 粗抛液、60 nm 及 90 nm 以上制程产品的掩膜版等，确保产业供应链的相对安全。

　　对标集成电路先进制程，开发 ArF、 EUV 和电子束光刻胶，高档高纯石英掩膜基板、掩膜保护膜，以及 Si 片精抛和化合物半导体抛光液， 14 nm 以下 FinFET 工艺和 Co、Rb 等金属互联材料、 STI 等抛光液，为半导体产业的发展提供技术及产业支持。

　　在半导体关键设备方面，对国产品牌还需进行产业链及政策的重点培育。在国家科技重大专项“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”项目(02 专项)成果的基础上，加强对装备与材料、工艺一体化的研制，通过国产化装备验证平台，开展对装备可靠性和工艺稳定性的验证与考核，加速开展高端装备研制。总之，在解决有无问题的基础上，解决做大做强的问题。

　　集成电路关键材料检测在人才培养方面，半导体专业人才特别是高端人才短缺，一直是制约我国半导体产业可持续发展的关键因素。设置半导体人才专项基金，加大核心人才引进力度;加快建设微电子产教融合协同育人平台，保障我国半导体产业的可持续发展。